ترانزیستور SVF3878PN N-Channel MOSFET 900V 9A – پکیج TO-220F

ترانزیستور SVF3878PN N-Channel MOSFET 900V 9A – پکیج TO-220F

SVF3878PN یک MOSFET کانال N با تکنولوژی VDMOS (“F‑Cell™”) است که برای کاربردهای قدرتی طراحی شده است. ساختار سلولی آن به‌گونه‌ای بهینه شده که مقاومت روشن (RDS(on)) کاهش یافته، سرعت کلیدزنی افزایش یافته و همچنین توانایی تحمل پالس­‌های القایی (avalanche, dv/dt) بهبود یافته است.

۲۰۵٫۰۰۰تومان
تعداد باقیمانده: ۱۴۰ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۲۰۵٫۰۰۰

ویژگی‌ها

• ولتاژ بین درین و سورس (VDS) حداکثر: 900 V.

• جریان درین پیوسته در دمای کیس 25 °C (ID): 9.0 A.

• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=10 V، ID≈4.5 A: typ ≈ 1.0 Ω، حداکثر ≈ 1.28 Ω.

• توان اتلاف (PD) در TC=25 °C: 150 W.

• ولتاژ گیت‑به‑سورس (VGS) مجاز: ±30 V.

• دمای کاری (TJ): از –55 °C تا +150 °C.

• سایر ویژگی‌ها: بار گیت (Gate Charge) کم، ظرفیت معکوس انتقال Crss کم، کلیدزنی سریع، بهبود dv/dt.

مشخصات فنی SVF3878PN (MOSFET کانال N)

• نوع قطعه: MOSFET کانال N قدرتی (VDMOS, F‑Cell™)

• ولتاژ درین‑به‑سورس (VDS max): 900 V

• جریان درین پیوسته (ID at TC=25 °C): 9 A

• مقاومت روشن (RDS(on)) typ: 1.0 Ω @ VGS=10 V

• مقاومت روشن (RDS(on)) max: 1.28 Ω

• ولتاژ گیت‑به‑سورس (VGS max): ±30 V

• توان اتلاف (PD at TC=25 °C): 150 W

• دمای کاری (TJ): –55 °C تا +150 °C

• آستانه گیت (VGS(th)): 2.5‑4.5 V

• نشتی درین‑به‑سورس (IDSS): ≤100 µA @ VDS=900 V

• ظرفیت‌های داخلی:

• Ciss ≈ 2009 pF

• Coss ≈ 208 pF

• Crss ≈ 47 pF

• کل شارژ گیت (Qg): ≈ 68 nC @ VDS=450 V, VGS=10 V, ID=9 A

• مقاومت حرارتی، اتصال به کیس (RθJC): 0.83 °C/W

• توان Avalanche (EAS, single pulse): 966 mJ

کاربردها

• منابع تغذیه سوئیچینگ AC‑DC با ولتاژ بالا

• مبدل‌های DC‑DC صنعتی

• درایو موتورهای صنعتی (H‑bridge، اینورتر)

• مداراتی با نیاز به کلیدزنی سریع، ولتاژ بالا و تحمل پالس‌های ناگهانی القایی

google-site-verification=nXehFVY_er12Y32TFBsH5xAG-FIjWEGTWlfzF3Hw1XE