SVF3878PN یک MOSFET کانال N با تکنولوژی VDMOS (“F‑Cell™”) است که برای کاربردهای قدرتی طراحی شده است. ساختار سلولی آن بهگونهای بهینه شده که مقاومت روشن (RDS(on)) کاهش یافته، سرعت کلیدزنی افزایش یافته و همچنین توانایی تحمل پالسهای القایی (avalanche, dv/dt) بهبود یافته است.
⸻
ویژگیها
• ولتاژ بین درین و سورس (VDS) حداکثر: 900 V.
• جریان درین پیوسته در دمای کیس 25 °C (ID): 9.0 A.
• مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=10 V، ID≈4.5 A: typ ≈ 1.0 Ω، حداکثر ≈ 1.28 Ω.
• توان اتلاف (PD) در TC=25 °C: 150 W.
• ولتاژ گیت‑به‑سورس (VGS) مجاز: ±30 V.
• دمای کاری (TJ): از –55 °C تا +150 °C.
• سایر ویژگیها: بار گیت (Gate Charge) کم، ظرفیت معکوس انتقال Crss کم، کلیدزنی سریع، بهبود dv/dt.
مشخصات فنی SVF3878PN (MOSFET کانال N)
• نوع قطعه: MOSFET کانال N قدرتی (VDMOS, F‑Cell™)
• ولتاژ درین‑به‑سورس (VDS max): 900 V
• جریان درین پیوسته (ID at TC=25 °C): 9 A
• مقاومت روشن (RDS(on)) typ: 1.0 Ω @ VGS=10 V
• مقاومت روشن (RDS(on)) max: 1.28 Ω
• ولتاژ گیت‑به‑سورس (VGS max): ±30 V
• توان اتلاف (PD at TC=25 °C): 150 W
• دمای کاری (TJ): –55 °C تا +150 °C
• آستانه گیت (VGS(th)): 2.5‑4.5 V
• نشتی درین‑به‑سورس (IDSS): ≤100 µA @ VDS=900 V
• ظرفیتهای داخلی:
• Ciss ≈ 2009 pF
• Coss ≈ 208 pF
• Crss ≈ 47 pF
• کل شارژ گیت (Qg): ≈ 68 nC @ VDS=450 V, VGS=10 V, ID=9 A
• مقاومت حرارتی، اتصال به کیس (RθJC): 0.83 °C/W
• توان Avalanche (EAS, single pulse): 966 mJ
کاربردها
• منابع تغذیه سوئیچینگ AC‑DC با ولتاژ بالا
• مبدلهای DC‑DC صنعتی
• درایو موتورهای صنعتی (H‑bridge، اینورتر)
• مداراتی با نیاز به کلیدزنی سریع، ولتاژ بالا و تحمل پالسهای ناگهانی القایی