ترانزیستور STP80NF55 یک MOSFET کانال N با توان بالا و جریاندهی زیاد است. این قطعه برای سوئیچینگ سریع، کنترل موتور، منابع تغذیه و بارهای قدرتی طراحی شده است.
⸻
کد فروشگاه : (C50)
ype of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 80 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 142 nC
Rise Time (tr): 155 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 1020 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0065 Ohm
Package: TO220
⸻
ویژگیها و کاربردها
ویژگیها
• MOSFET کانال N با جریان درین تا 80 آمپر
• ولتاژ درین–سورس 55 ولت
• مقاومت روشن Rds(on) بسیار پایین (~0.0085Ω)
• سرعت سوئیچینگ بالا، مناسب برای PWM
کاربردها
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• کنترل موتورهای DC و AC
• مدارهای اینورتر و UPS
• سوئیچینگ بارهای قدرتی و رلههای الکترونیکی
• مدارات PWM و کنترل توان
⸻
مشخصات فنی
• نوع: N-Channel MOSFET
• ولتاژ درین–سورس (Vds): 55V
• جریان درین (Id): 80A
• مقاومت روشن (Rds(on)): 0.0085Ω @ Vgs = 10V
• ولتاژ گیت–سورس (Vgs): ±20V
• توان اتلاف (Pd): 300W (با هیتسینک مناسب)
• Charge کل گیت (Qg): 170nC
• زمان روشن/خاموش (Switching Time): سریع
• محدوده دمای کاری: −55°C تا +150°C
کد فروشگاه : (C50)