ترانزیستور STP13NK60Z N-Channel 600V 13A
STP13NK60Z یک MOSFET توان از شرکت STMicroelectronics است که در سری SuperMESH™ تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگِ ولتاژ بالا طراحی شده و ترکیبی از مقاومت روشن نسبتاً پایین، توانایی dv/dt خوب و ظرفیت گیت بهینه دارد.
⸻
کد فروشگاه : (C42)
Type Designator: STW13NK60Z
Marking Code: W13NK60Z
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 150 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 600 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 4.5 V
|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 13 A
Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C
Qgⓘ - Total Gate Charge: 66 nC
trⓘ - Rise Time: 14 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 210 pF
Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.55 Ohm
ویژگیها و کاربردها
• تکنولوژی SuperMESH™: طراحی بهینه شده برای کاهش مقاومت در حالت روشن (R_DS(on)) و افزایش توانایی dv/dt.
• شارژ گِیت کاهش یافته برای سوئیچینگ سریعتر و تلفات کمتر.
• کاپاسیتانس ذاتی (intrinsic capacitances) پایین، که در طراحی مدارهای سوئیچینگ مزیت دارد.
• دارای دیود زِنر داخلی بین گیت و سورس برای محافظت از گیت در برابر ترانزیانتهای ولتاژی.
• تست آوالانچ (Avalanche) ۱۰۰٪ شده، نشاندهنده پایداری بالا در شرایط ضربه ولتاژی.
• کاربردهای پیشنهادی: منابع تغذیه سوئیچی، مبدلهای DC‑AC (مثل UPS)، کنترل موتور، سوئیچینگ جریان بالا.
مشخصات فنی STP13NK60Z
• ولتاژ درین‑به‑سورس (VDSS): 600 V
• جریان درین پیوسته (ID): 13 A
• مقاومت RDS(on): حداکثر ~0.55 Ω، مقدار تیپیک ~0.48 Ω
• توان تلفاتی (PD): 150 W
• ولتاژ گِیت‑به‑سورس (VGS): ±30V حد ایمن
• آستانه گِیت (VGS(th)): تقریبا 3 تا 4.5 V (در جریان 100µA)
• ظرفیت گِیت (Gate Charge QG): ~ 92 nC در VGS = 10V
• ظرفیت ورودی (Ciss): تا ~2030 pF در VDS = 25V
• دمای کاری: از ‑55°C تا +150°C
• تکنولوژی: SuperMESH™ (برای کاهش R_DS(on) و بهبود dv/dt)
• محافظت: دارای زِنر بین گِیت و سورس (Gate‑Source Zener)
کد فروشگاه : (C42)