ترانزیستور MRFE6S9125N NPN 125V 90A RF Power Transistor

ویژگی‌ها و کاربردها

• طراحی شده برای فرکانس‌های تا تقریباً ۱۰۰۰ مگاهرتز.

• مناسب تقویت بزرگ‌سیگنال (large-signal) در مدار منبع تغذیه RF.

• دارای حفاظت ESD داخلی.

• مقاومت حرارتی پایین بین اتصال و بدنه برای تخلیه حرارت بهتر.

• بسته پلاستیکی مقاوم حرارت (تا ۲۲۵°C در جوش).

کاربردها:

• تقویت‌کننده‌های فرستنده موبایل (Base Station)

• آمپلی‌فایرهای RF در باند GSM / N‑CDMA

• سیستم‌های مخابراتی صنعتی و حرفه‌ای

• مدارات رادیویی با توان بالا و فرکانس متوسط

⸻

مشخصات فنی (MRFE6S9125N)

• نوع: LDMOS N‑Channel RF Power MOSFET

• فرکانس کاری: تا ~1000 مگاهرتز

• ولتاژ درین–سورس (VDSS): −0.5V … +66V

• ولتاژ گیت–سورس (VGS): −0.5V … +12V

• ولتاژ کاری پیشنهادی (VDD): تا 32V

• جریان بایاس (IDQ): ~ 950 mA برای حالت نمونه (اهمیت در مود کاری RF)

• توان خروجی (مثال عملی): 27 W متوسط در فرکانس 880 MHz با VDD = 28V

• بهره توان (Power Gain): ~ 20.2 dB در 880 MHz

• بازده درین (Drain Efficiency): ~ 31٪ برای حالت CDMA در 880 MHz

• مقاومت حرارتی جوکشن به کیس (RθJC): ~ 0.44 °C/W

• دمای اتصال (Junction Temperature): تا 225 °C مجاز است برای استفاده طولانی‌مدت

• محدوده دمای نگهداری (Storage): −65°C تا +150°C

• حفاظت: دارای ESD داخلی

• سازگاری با VSWR بالا: طراحی شده تا VSWR 10:1 را تحمل کند در ولتاژ کاری خاص

کد فروشگاه : (E18)