ترانزیستور IRFP4710 N-Channel 100V 120A MOSFET

ترانزیستور IRFP4710 N-Channel 100V 120A MOSFET

IRFP4710 یک MOSFET قدرتی N-Channel است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا، منابع تغذیه، درایور موتور و اینورترها طراحی شده است. این مدل دارای مقاومت روشنایی پایین، جریان‌دهی بالا و تحمل حرارتی مناسب است و برای مدارهای صنعتی و پاور بسیار مناسب است.

کد فروشگاه : (E12)

Type Designator: IRFP4710

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 190 W

|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 100 V

|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 5.5 V

|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 72 A

Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C

Qgⓘ - Total Gate Charge: 110 nC

trⓘ - Rise Time: 130 nS

Cossⓘ - Output Capacitance: 440 pF

Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.014 Ohm

Package: TO247AC

۱۵۷٫۵۰۰تومان
تعداد باقیمانده: ۸ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۱۵۷٫۵۰۰

ویژگی‌ها و کاربردها

ویژگی‌ها

• نوع: N-Channel Power MOSFET

• جریان درین بالا (تا 76A)

• ولتاژ درین–به–سورس (VDS = 100V)

• مقاومت RDS(on) پایین (0.022Ω) → کاهش تلفات توان

• سرعت سوئیچینگ بالا

کاربردها

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• درایور موتور DC و Brushless

• اینورترها و مبدل‌های DC-DC و DC-AC

• تجهیزات UPS و شارژر صنعتی

• تقویت‌کننده‌های توان بالا

مشخصات فنی

• نوع قطعه: N-Channel Power MOSFET

• مدل: IRFP4710

• ولتاژ Drain-Source (VDS): 100 V

• جریان Drain (ID): 76 A

• توان اتلاف (PD): 300 W (با هیت‌سینک مناسب)

• ولتاژ Gate-Source (VGS): ±20 V

• مقاومت RDS(on): 0.022 Ω (VGS = 10V)

• نوع راه‌اندازی: Enhancement Mode

• دمای کاری: –55°C تا +175°C

• کاربرد: پاور، اینورتر، موتور درایو، SMPS

کد فروشگاه : (E12)

google-site-verification=nXehFVY_er12Y32TFBsH5xAG-FIjWEGTWlfzF3Hw1XE