ترانزیستور IRFB4710 یک MOSFET کانال N با توان و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ سریع، منابع تغذیه، درایو موتور و اینورترها طراحی شده است. این مدل از تلفات کم، مقاومت روشنایی پایین و تحمل ولتاژ بالا برخوردار است و در پروژههای صنعتی و پاور بسیار محبوب است.
⸻
کد فروشگاه : (F5)
Type Designator: IRFB4710
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 200 W
|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 100 V
|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 5.5 V
|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 75 A
Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C
Qgⓘ - Total Gate Charge: 110 nC
trⓘ - Rise Time: 130 nS
Cossⓘ - Output Capacitance: 440 pF
Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.014 Ohm
Package: TO220AB
ویژگیها و کاربردها
ویژگیها
• نوع: N-Channel MOSFET
• ولتاژ کاری بالا و مناسب برای مدارهای قدرت
• Rds(on) بسیار پایین برای کاهش تلفات
• سرعت سوئیچینگ بالا
• جریاندهی زیاد و تحمل حرارتی مناسب
کاربردها
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• درایور موتورهای DC و براشلس
• اینورترها و مبدلهای DC-DC و DC-AC
• شارژرهای صنعتی
• تجهیزات UPS
• تقویتکنندههای توان بالا
⸻
مشخصات فنی
• نوع قطعه: MOSFET کانال N
• مدل: IRFB4710
• ولتاژ Drain-Source (Vds): 100V
• جریان Drain (Id): 75A
• توان اتلاف (Pd): 300W
• ولتاژ Gate-Threshold (Vgs(th)): 2 – 4V
• مقاومت Rds(on): حدود 0.026Ω (در Vgs = 10V)
• نوع راهاندازی: Enhancement Mode
• دمای کاری: -55°C تا +175°C
• کاربرد: پاور، اینورتر، موتور درایو، SMPS
کد فروشگاه : (F5)