ترانزیستور IRFB4710 N-Channel 100V 100A MOSFET

ترانزیستور IRFB4710 N-Channel 100V 100A MOSFET

ترانزیستور IRFB4710 یک MOSFET کانال N با توان و جریان بالا است که برای کاربردهای سوئیچینگ سریع، منابع تغذیه، درایو موتور و اینورترها طراحی شده است. این مدل از تلفات کم، مقاومت روشنایی پایین و تحمل ولتاژ بالا برخوردار است و در پروژه‌های صنعتی و پاور بسیار محبوب است.

کد فروشگاه : (F5)

Type Designator: IRFB4710

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 200 W

|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 100 V

|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 5.5 V

|Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 75 A

Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C

Qgⓘ - Total Gate Charge: 110 nC

trⓘ - Rise Time: 130 nS

Cossⓘ - Output Capacitance: 440 pF

Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.014 Ohm

Package: TO220AB

۲۹۴٫۰۰۰تومان
تعداد باقیمانده: ۹ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۲۹۴٫۰۰۰

ویژگی‌ها و کاربردها

ویژگی‌ها

• نوع: N-Channel MOSFET

• ولتاژ کاری بالا و مناسب برای مدارهای قدرت

• Rds(on) بسیار پایین برای کاهش تلفات

• سرعت سوئیچینگ بالا

• جریان‌دهی زیاد و تحمل حرارتی مناسب

کاربردها

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• درایور موتورهای DC و براشلس

• اینورترها و مبدل‌های DC-DC و DC-AC

• شارژرهای صنعتی

• تجهیزات UPS

• تقویت‌کننده‌های توان بالا

مشخصات فنی

• نوع قطعه: MOSFET کانال N

• مدل: IRFB4710

• ولتاژ Drain-Source (Vds): 100V

• جریان Drain (Id): 75A

• توان اتلاف (Pd): 300W

• ولتاژ Gate-Threshold (Vgs(th)): 2 – 4V

• مقاومت Rds(on): حدود 0.026Ω (در Vgs = 10V)

• نوع راه‌اندازی: Enhancement Mode

دمای کاری:‌ -55°C تا +175°C

• کاربرد: پاور، اینورتر، موتور درایو، SMPS

کد فروشگاه : (F5)

google-site-verification=nXehFVY_er12Y32TFBsH5xAG-FIjWEGTWlfzF3Hw1XE