ترانزیستور IRFB260N N-Channel 200V 50A MOSFET

ویژگی‌ها و کاربردها

• MOSFET قدرتی N-Channel مناسب سوئیچینگ توان بالا

• جریان درین بالا (ID ≈ 50A) با خنک‌کاری مناسب

• ولتاژ درین–به–سورس تا 200V

• مقاومت RDS(on) پایین (0.04 Ω) → کاهش تلفات توان

• کاربردها:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• اینورترها و مدارهای موتور

• تقویت‌کننده‌های قدرت و آمپلی‌فایرهای بزرگ

• مدارات کنترل صنعتی و الکترونیک قدرت

⸻

مشخصات فنی IRFB260N

• نوع قطعه: N-Channel Power MOSFET

• ولتاژ درین–به–سورس (VDS): 200 V

• جریان درین (ID): 50 A (تا 25°C)

• مقاومت درین–به–سورس RDS(on): 0.04 Ω

• ولتاژ گیت–به–سورس (VGS): ±20 V

• توان تلفاتی (PD): 300 W (با هیت‌سینک مناسب)

• ظرفیت گیت (QG): 225 nC

• فرکانس سوئیچینگ: 50–100 kHz

• دمای کاری: –55°C تا +175°C

• کاربردها: منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، تقویت‌کننده‌های قدرت، کنترل صنعتی

کد فروشگاه : (F26)