ترانزیستور IRF7105 دارای دو عدد ماسفت یکی از نوع N-CH و دیگری از نوع P-CH برای کاربرد سوییچینگ سرعت بالا و نوع SMD می باشد.
IRF7105TR یک MOSFET دوتایی از نوع HEXFET است شامل یک عنصر N‑کانال و یک عنصر P‑کانال در یک سطحی. این قطعه برای کاربردهای توان پایین با سرعت سوئیچینگ مناسب طراحی شده است.
⸻
کد فروشگاه : (A15)
ویژگیها و کاربردها
ویژگیها:
• کانالهای N و P همزمان برای طراحی انعطافپذیر
• مقاومت روشن پایین (RDS(on)) برای هر دو کانال
• قابلیت سوئیچینگ سریع
• توان تلفاتی محدود (۲ وات) برای کاربردهای توان متوسط
• محدوده دمای کاری تا +۱۵۰ درجه سلسیوس
کاربردها:
• مبدلهای DC‑DC
• منبع تغذیه سوئیچینگ
• درایور بارهای کوچک
• مدارات مدیریت توان
• کلید سطح پایین/بالا در طراحیهای الکترونیکی
⸻
مشخصات فنی — IRF7105TR
• نوع قطعه: Dual MOSFET (کانال N + کانال P)
• ولتاژ درین‑سورس (VDS): +25 V (کانال N) / −25 V (کانال P)
• جریان درین (ID) مداوم:
‒ کانال N: ۳.۵ A
‒ کانال P: ~۲.۳A یا ۳.۵A بسته به منبع
• آستانه گیت (VGS(th)): ±1 تا ±3 ولت
• مقاومت روشن (RDS(on)):
‒ کانال N: ~۰.۱ Ω (در VGS = 10V)
‒ کانال P: ~۰.۲۵ Ω (در VGS = 10V)
• بار گیت (Gate Charge QG):
‒ کانال N: ~9.4 nC
‒ کانال P: ~10 nC
• ظرفیت ورودی (Ciss):
‒ کانال N: ~330 pF
‒ کانال P: ~290 pF
• توان تلفاتی (Power Dissipation): ۲ وات کل (N و P)
• ولتاژ گیت-سورس مجاز (VGS): ±20 ولت
• دمای کاری (Junction): −۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد
کد فروشگاه : (A15)