ترانزیستور IRF7105TR N-Channel MOSFET 55V 23A

ترانزیستور IRF7105TR N-Channel MOSFET 55V 23A

ترانزیستور IRF7105 دارای دو عدد ماسفت یکی از نوع N-CH و دیگری از نوع P-CH برای کاربرد سوییچینگ سرعت بالا و نوع SMD می باشد.

IRF7105TR یک MOSFET دوتایی از نوع HEXFET است شامل یک عنصر N‑کانال و یک عنصر P‑کانال در یک سطحی. این قطعه برای کاربردهای توان پایین با سرعت سوئیچینگ مناسب طراحی شده است.

کد فروشگاه : (A15)

۱۵٫۷۵۰تومان
تعداد باقیمانده: ۳ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۱۵٫۷۵۰

ویژگی‌ها و کاربردها

ویژگی‌ها:

• کانال‌های N و P همزمان برای طراحی انعطاف‌پذیر

• مقاومت روشن پایین (RDS(on)) برای هر دو کانال

• قابلیت سوئیچینگ سریع

• توان تلفاتی محدود (۲ وات) برای کاربردهای توان متوسط

• محدوده دمای کاری تا +۱۵۰ درجه سلسیوس

کاربردها:

• مبدل‌های DC‑DC

• منبع تغذیه سوئیچینگ

• درایور بار‌های کوچک

• مدارات مدیریت توان

• کلید سطح پایین/بالا در طراحی‌های الکترونیکی

مشخصات فنی — IRF7105TR

• نوع قطعه: Dual MOSFET (کانال N + کانال P)

• ولتاژ درین‑سورس (VDS): +25 V (کانال N) / −25 V (کانال P)

• جریان درین (ID) مداوم:

‒ کانال N: ۳.۵ A

‒ کانال P: ~۲.۳A یا ۳.۵A بسته به منبع

• آستانه گیت (VGS(th)): ±1 تا ±3 ولت

• مقاومت روشن (RDS(on)):

‒ کانال N: ~۰.۱ Ω (در VGS = 10V)

‒ کانال P: ~۰.۲۵ Ω (در VGS = 10V)

• بار گیت (Gate Charge QG):

‒ کانال N: ~9.4 nC

‒ کانال P: ~10 nC

• ظرفیت ورودی (Ciss):

‒ کانال N: ~330 pF

‒ کانال P: ~290 pF

• توان تلفاتی (Power Dissipation): ۲ وات کل (N و P)

• ولتاژ گیت-سورس مجاز (VGS): ±20 ولت

• دمای کاری (Junction): −۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتی‌گراد

کد فروشگاه : (A15)