ترانزیستور IRF640 N-Channel 200V 18A MOSFET

ویژگی‌ها و کاربردها

• MOSFET قدرتی N-Channel مناسب سوئیچینگ توان متوسط تا بالا

• ولتاژ درین–به–سورس (VDS = 200V)

• جریان درین تا 18A

• مقاومت RDS(on) پایین (0.18 Ω) → کاهش تلفات توان

• کاربردها:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• اینورترها و مدارهای موتور

• تقویت‌کننده‌های قدرت و آمپلی‌فایرهای متوسط

• مدارات کنترل صنعتی

⸻

مشخصات فنی IRF640

• نوع قطعه: N-Channel Power MOSFET

• ولتاژ درین–به–سورس (VDS): 200 V

• جریان درین (ID): 18 A

• مقاومت درین–به–سورس RDS(on): 0.18 Ω

• ولتاژ گیت–به–سورس (VGS): ±20 V

• توان تلفاتی (PD): 150 W (با هیت‌سینک مناسب)

• ظرفیت گیت (QG): 160 nC

• فرکانس سوئیچینگ: 50–100 kHz

• دمای کاری: –55°C تا +175°C

• کاربردها: منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، تقویت‌کننده‌های قدرت، کنترل صنعتی

کد فروشگاه : (F26)