ترانزیستور IPP60R120P7 – N-Channel MOSFET 600V 7.2A TO-220
IPP60R120P7 یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است که برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ جریان بالا طراحی شده است. این قطعه ترکیبی از مزایای MOSFET و BJT دارد و برای کنترل بارهای بزرگ در اینورترها، درایور موتور و منابع تغذیه صنعتی بسیار مناسب میباشد.
⸻
کد فروشگاه : (B45)
مشخصات فنی (Technical Specifications)
• نوع ترانزیستور: IGBT (N-Channel)
• حداکثر ولتاژ Collector–Emitter (Vce): 1200V
• حداکثر جریان Collector (Ic): 60A
• حداکثر توان اتلاف (Pd): 500W
• ولتاژ Gate–Emitter (Vge): ±20V (حداکثر)
• زمان روشن/خاموش شدن (Switching Time): سریع، مناسب سوئیچینگ صنعتی
• دمای کاری: −55°C تا +150°C
• کاربرد: سوئیچینگ قدرت بالا و کنترل بارهای القایی
⸻
ویژگیها
• مقاومت روشن پایین و تلفات حرارتی کم
• مناسب برای سوئیچینگ سریع و بارهای قدرت بالا
• عملکرد پایدار در دماهای بالا و محیطهای صنعتی
⸻
کاربردها
• اینورترهای AC-DC و DC-AC
• درایور موتورهای صنعتی و خانگی
• منابع تغذیه سوئیچینگ قدرت بالا
• UPS و سیستمهای ذخیره انرژی
• سیستمهای اتوماسیون و تجهیزات صنعتی
کد فروشگاه : (B45)