ترانزیستور IPP041N12N N-Channel 120V 120A MOSFET Infineon TO-220AB
IPP041N12N یک ترانزیستور MOSFET نوع N که برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ جریان بالا طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ بالا، جریان زیاد و مقاومت روشن پایین (Rds(on))، برای کاربردهای صنعتی و الکترونیک قدرت میباشد.
⸻
کد فروشگاه : (D32)
Marking Code: 041N12N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 120 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 120 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Package: TO220
مشخصات فنی (Technical Specifications)
• نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
• حداکثر ولتاژ Drain-to-Source (Vds): 1200V
• حداکثر جریان Drain (Id): 41A
• مقاومت روشن (Rds(on)): 0.041 Ω
• حداکثر توان اتلاف (Pd): 320W
• ولتاژ گیت آستانه (Vgs(th)): 4V
• فرکانس سوئیچینگ: مناسب برای کاربردهای سریع و قدرت بالا
• دمای کاری: −55°C تا +150°C
• شرکت سازنده: International Rectifier / Infineon
⸻
ویژگیها
• مقاومت روشن پایین و تلفات حرارتی کم
• قابلیت سوئیچینگ جریانهای بالا و ولتاژ بالا
• پاسخ سریع مناسب برای مدارهای سوئیچینگ صنعتی
⸻
کاربردها
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• اینورترهای AC-DC و DC-AC
• درایور موتور و کنترل بارهای القایی
• لودسوئیچها و محافظت مدار قدرت
• تجهیزات صنعتی و الکترونیک قدرت
کد فروشگاه : (D32)