ترانزیستور FGY60T120SQDN N-Channel MOSFET 1200V 60A – پکیج TO-247

ترانزیستور FGY60T120SQDN N-Channel MOSFET 1200V 60A – پکیج TO-247

ترانزیستور FGY60T120SQDN یک IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق) پرقدرت و با کارایی بالا است که برای کاربردهای فرکانس متوسط تا بالا مانند اینورترها، درایوهای موتور و منابع تغذیه صنعتی طراحی شده است. این قطعه دارای توان بالا، افت ولتاژ کم و سرعت سوئیچینگ مناسب بوده است.

کد فروشگاه : (C22)

FGY60T120SQDN

۹۰۰٫۰۰۰تومان
تعداد باقیمانده: ۷ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۹۰۰٫۰۰۰

⚙️ مشخصات فنی:

• نوع قطعه: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 1200 ولت

• جریان کلکتور (Ic): 60 آمپر

• ولتاژ گیت-امیتر (Vge): ±20 ولت

• افت ولتاژ اشباع (Vce(sat)): حدود 2.0 ولت در 60A

• توان تلفاتی (Ptot): 380 وات

• فرکانس سوئیچینگ: تا 20 کیلوهرتز

• دمای کاری: -55 تا +150°C

• برند سازنده: ON Semiconductor

🌟 ویژگی‌ها:

• طراحی بهینه برای راندمان بالا در کاربردهای صنعتی

• مقاومت کم و افت ولتاژ پایین در حالت روشن

• تحمل جریان و ولتاژ بالا

• قابلیت اطمینان و پایداری حرارتی عالی

• مناسب برای سوئیچینگ سریع در بارهای القایی

⚡ کاربردها:

• اینورترها و مبدل‌های DC/AC

• درایور موتورهای صنعتی

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• UPS و سیستم‌های انرژی تجدیدپذیر

• جوشکاری اینورتر و تجهیزات قدرت بالا

کد فروشگاه : (C22)

google-site-verification=nXehFVY_er12Y32TFBsH5xAG-FIjWEGTWlfzF3Hw1XE