ترانزیستور DMP34M4SPS-13DICT

مشخصات فنی

• نوع قطعه: MOSFET کانال P (P-Channel Enhancement Mode)

• ولتاژ Drain-to-Source (BVDSS): -30 ولت (یعنی می‌تواند 30 ولت اختلاف بین D و S تحمل کند)

• جریان مداوم Drain (TC = +25°C): تا -135 آمپر (در شرایط خاص)

• مقاومت Drain-to-Source On (RDS(on)) حداکثر: 3.8 میلی‌اهم در VGS = -10V

• مقاومت RDS(on) در VGS = -5V: حداکثر حدود 6.0 میلی‌اهم

• ولتاژ Gate-to-Source (VGSS): ±25 ولت

• ظرفیت ورودی (Ciss): حدود 3,775 پیکوفاراد در VDS = -15V

• توان تلفاتی (Power Dissipation): معمولی 1.5 وات (بسته‌بندی پایه)

• دمای کاری: از -55 °C تا +150 °C برای Junction و Storage

⸻

ویژگی‌ها و مزایا

• مقاومت داخلی بسیار پایین باعث حداقل افت ولتاژ و تلفات توان در وضعیت روشن می‌شود.

• مناسب برای کاربردهای توان بالا و کنترل بار، از جمله مدیریت باتری، بارهای صنعتی، سوئیچینگ بارهای سریع.

• بسته‌بندی سطحی (SMT) با پروفایل نازک، مناسب طراحی مدرن و فضای محدود.

• گستره ولتاژ وسیع برای Gate-to-Source (±25V) که ایمنی و انعطاف بالاتری ایجاد می-کند.

• عملکرد مناسب در شرایط سخت دمایی (تا +150°C) که در محیط‌های صنعتی شرایط مهمی است.

⸻

کاربردها

• کلیدزنی بارهای بزرگ و سوئیچ‌بار (Load switching) در منبع تغذیه یا سیستم‌های DC-DC.

• کنترل بارهای باتری یا سیستم‌های محافظتی در موبایل، نوت‌بوک یا سیستم‌های خودرویی.

• طراحی مدارات صنعتی که نیاز به MOSFET کانال P دارند برای سوئیچینگ سریع یا کاموتاسیون معکوس.

• کاربردهای توان بالا که نیاز به توانایی تحمل جریان بزرگ و مقاومت پایین دارند.

کد فروشگاه : (C27)