ترانزیستور 65F6190 NPN 600V 19A
این قطعه یک MOSFET قدرت از نوع N‑کانال است که توسط Infineon Technologies تحت خانواده «CoolMOS™ CFD2» عرضه شده است. علامتگذاری «65F6190» نیز برای این قطعه گزارش شده است.
این MOSFET برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا طراحی شده است .
⸻
کد فروشگاه : (D23)
Type Designator: IPA65R190CFD
Marking Code: 65F6190
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 34 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 17.5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 8.4 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 86 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.19 Ohm
Package: TO-220F
ویژگیها و کاربردها
ویژگیهای کلیدی
• ساختار سوپر جانکشِن (Superjunction) برای کاهش تلفات سوئیچینگ و هدایتی.
• ظرفیت تحمل ولتاژ درین به سورس (V₍DS₎) برابر 650 ولت.
• مقاومت در حالت روشن (R₍DS(on)₎) حداکثر ≈ 0.19 Ω (۱۹۰ mΩ) ‑ در شرایط معین.
• جریان پیوسته درین تا حدود 17.5 آمپر
کاربردهای متداول
• این MOSFET مناسب است برای بخشهایی که نیاز به سوئیچینگ با ولتاژ بالا دارند، مثل منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) در حالت PWM یا حالات رزونانسی.
• استفاده در تلویزیونهای LCD، سرورها، روشنایی (LED driver)، و کاربردهای مخابراتی که ولتاژ بالا دارند.
• به عنوان یک گزینه در طراحی بخش اولیه (primary side) منابع تغذیه که نیاز به تحمل ولتاژ بالا دارند.
⸻
مشخصات فنی
نوع: N‑کانال MOSFET سوپرجانکشن (CoolMOS™️ CFD2)
ولتاژ درین‑سورس (V_DS): 650 V
جریان پیوسته درین (I_D): 17.5 A
جریان پالس درین (I_D,pulse): 57.2 A
مقاومت در حالت روشن (R_DS(on)): 0.19 Ω (حداکثر)
ولتاژ آستانه گیت‑سورس (V_GS(th)): 3.5 – 4.5 V
شارژ گیت (Q_G): 68 nC (typ)
توان تلفاتی (P_tot): 34 W
دمای کاری: −55 °C تا +150 °C
مقاومت حرارتی (R_thJC): 3.7 K/W
مقاومت حرارتی (R_thJA): 80 K/W
ویژگیها: دیود سریع بدنه، طراحی سوپرجانکشن، کاهش Q_rr، مناسب سوئیچینگ سخت
⸻
کد فروشگاه : (D23)