2SA1012 یک ترانزیستور سیلیکونی PNP است که برای تقویت سیگنال، سوئیچینگ کمقدرت و کاربردهای صوتی و RF طراحی شده است. این ترانزیستور مناسب پروژههای کمقدرت و بردهای فشرده است.
⸻
کد فروشگاه : (G5)
Type Designator: 2SA1012
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 25 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 125 °C
Transition Frequency (ft): 60 MHz
Collector Capacitance (Cc): 170 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 70
Noise Figure, dB: -
Package: TO220
ویژگیها و کاربردها
• نوع PNP مناسب برای تقویتکنندهها و سوئیچینگ کمقدرت
• جریان کلکتور متوسط (0.5A)
• ولتاژ کلکتور–امیتر مناسب (80V)
• توان تلفاتی 0.625W، مناسب برای کاربردهای سبک
• فرکانس کاری کافی برای مدارهای صوت و RF سبک
• کاربردها:
• تقویتکننده سیگنال
• سوئیچینگ بارهای کوچک
• مدارهای صوت و RF سبک
• درایورهای کوچک
⸻
مشخصات فنی
• نوع قطعه: PNP BJT
• ولتاژ کلکتور–امیتر (VCEO): 80 V
• ولتاژ کلکتور–بیس (VCBO): 100 V
• ولتاژ امیتر–بیس (VEBO): 5 V
• جریان کلکتور (IC): 0.5 A
• توان تلفاتی کلکتور (PC): 0.625 W
• فرکانس ترانزیشن (fT): ~50 MHz
• ضریب تقویت جریان (hFE): 70–400
• دمای کاری: –55°C تا +150°C
• کاربرد: تقویتکننده سیگنال، سوئیچینگ بارهای کوچک، مدارهای صوت و RF سبک
کد فروشگاه : (G5)