18P10GH یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor است که برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ جریان بالا طراحی شده است. این قطعه ترکیبی از مزایای MOSFET و BJT دارد و برای کنترل بارهای بزرگ در اینورترها، درایور موتور و منابع تغذیه صنعتی میباشد.
کد فروشگاه : (D32)
مشخصات فنی (Technical Specifications)
• نوع ترانزیستور: IGBT (N-Channel)
• حداکثر ولتاژ Collector–Emitter (Vce): 1000V
• حداکثر جریان Collector (Ic): 18A
• حداکثر توان اتلاف (Pd): ~250W
• ولتاژ Gate–Emitter (Vge): ±20V (حداکثر)
• زمان روشن/خاموش شدن (Switching Time): سریع، مناسب سوئیچینگ صنعتی
• دمای کاری: −55°C تا +150°C
• کاربرد: سوئیچینگ قدرت بالا و کنترل بارهای القایی
⸻
ویژگیها
• ترکیبی از مزایای MOSFET و BJT → مقاومت روشن پایین و جریان بالا
• مناسب برای سوئیچینگ سریع و بارهای قدرت بالا
• عملکرد پایدار در دماهای بالا و محیطهای صنعتی
⸻
کاربردها
• اینورترهای AC-DC و DC-AC
• درایور موتورهای صنعتی و خانگی
• منابع تغذیه سوئیچینگ قدرت بالا
• UPS و سیستمهای ذخیره انرژی
• سیستمهای اتوماسیون و تجهیزات صنعتی
کد فروشگاه : (D32)