آیسی NJM4558DR از خانواده عملآیندههای عملیاتی (Operational Amplifiers) دو کاناله با بهره بالا است. این تراشه دارای مدار داخلی جبرانشده (internally compensated) بوده و از تکنولوژی سیلیکون منولیتیک استفاده شده است.
بهدلیل عملکرد مناسب، این آمپلیفایرها در کاربردهای صوتی، اندازهگیری، تقویت سیگنالهای کوچک و مدارات عمومی تقویت استفاده میشوند.
⸻
مشخصات فنی
برخی از مهمترین ویژگیها و مشخصات فنی این آیسی عبارتاند از:
• برند: Nisshinbo Micro Devices
• مدل: NJM4558
• نوع عملکرد: Dual High‑Gain Operational Amplifier (دو کاناله)
• تعداد کانالها: 2 کانال
• محدوده ولتاژ تغذیه: ±4 V تا ±18 V (معادل 8 V تا 36 V تکعرض)
• جریان تغذیه (حداِقل): معمولاً ~1.75 mA تا ~2.85 mA برای هر کانال
• ولتاژ آفست ورودی (Input Offset Voltage): نوعی ≈ 0.5 mV (typ) تا حداکثر ~6 mV
• Slew Rate (سرعت شیب خروجی): ≈ 1 V/µs (typ)
• Gain Bandwidth Product (GBW): حدود 3 MHz (typ)
• دمای کاری: از ‑40 °C تا +85 °C (عملیاتی)
• حداکثر ولتاژ تغذیه مطلق: ±18 V (برای V+/V‑)
• مشخصه ورودی: مقاومت ورودی بالا (مثلاً ~5 MΩ typ)
⸻
مزایا
• بهره بالا و مدار جبرانشده داخلی → نیاز کمتر به قطعات جانبی
• محدوده وسیع ولتاژ تغذیه → انعطافپذیری در طراحی مدار
• جریان مصرف پایین نسبی → مناسب برای مدارهای کم مصرف
• پکیجهای متنوع و در دسترس برای کاربردهای عمومی
• توانایی استفاده در کاربردهای صوتی، اندازهگیری و تقویت عمومی
⸻
کاربردها
• تقویتکنندههای صوتی و مدارات استریو
• مدارات اندازهگیری و ابزار دقیق
• مدارات سیگنال کوچک، فیلترها، آداپتورهای سنسور
• کاربردهای عمومی در مدارهای الکترونیکی که نیاز به آمپلیفایر دو کاناله دارند.