آی سی NJM4558DR

آی سی NJM4558DR

آی‌سی NJM4558DR از خانواده عمل‌آینده‌های عملیاتی (Operational Amplifiers) دو کاناله با بهره بالا است. این تراشه دارای مدار داخلی جبران‌شده (internally compensated) بوده و از تکنولوژی سیلیکون منولیتیک استفاده شده است.

به‌دلیل عملکرد مناسب، این آمپلی‌فایرها در کاربردهای صوتی، اندازه‌گیری، تقویت سیگنال‌های کوچک و مدارات عمومی تقویت استفاده می‌شوند.

۱۰٫۵۰۰تومان
تعداد باقیمانده: ۴۶ عدد
افزودن به سبد خرید
افزودن به سبد خرید
۱۰٫۵۰۰

مشخصات فنی

برخی از مهم‌ترین ویژگی‌ها و مشخصات فنی این آی‌سی عبارت‌اند از:

• برند: Nisshinbo Micro Devices

• مدل: NJM4558

• نوع عملکرد: Dual High‑Gain Operational Amplifier (دو کاناله)

• تعداد کانال‌ها: 2 کانال

• محدوده ولتاژ تغذیه: ±4 V تا ±18 V (معادل 8 V تا 36 V تک‌عرض)

• جریان تغذیه (حداِقل): معمولاً ~1.75 mA تا ~2.85 mA برای هر کانال

• ولتاژ آفست ورودی (Input Offset Voltage): نوعی ≈ 0.5 mV (typ) تا حداکثر ~6 mV

• Slew Rate (سرعت شیب خروجی): ≈ 1 V/µs (typ)

• Gain Bandwidth Product (GBW): حدود 3 MHz (typ)

• دمای کاری: از ‑40 °C تا +85 °C (عملیاتی)

• حداکثر ولتاژ تغذیه مطلق: ±18 V (برای V+/V‑)

• مشخصه ورودی: مقاومت ورودی بالا (مثلاً ~5 MΩ typ)

مزایا

• بهره بالا و مدار جبران‌شده داخلی → نیاز کمتر به قطعات جانبی

• محدوده وسیع ولتاژ تغذیه → انعطاف‌پذیری در طراحی مدار

• جریان مصرف پایین نسبی → مناسب برای مدارهای کم مصرف

• پکیج‌های متنوع و در دسترس برای کاربردهای عمومی

• توانایی استفاده در کاربردهای صوتی، اندازه‌گیری و تقویت عمومی

کاربردها

• تقویت‌کننده‌های صوتی و مدارات استریو

• مدارات اندازه‌گیری و ابزار دقیق

• مدارات سیگنال کوچک، فیلترها، آداپتورهای سنسور

• کاربردهای عمومی در مدارهای الکترونیکی که نیاز به آمپلی‌فایر دو کاناله دارند.