آی سی L6384ED

ویژگی‌ها و مزایا:

• قابلیت ولتاژ ریل (High-voltage rail) تا ≈ 600 ولت برای بخش Floating.

• ایمنی نسبت به نرخ تغییر ولتاژ (dV/dt immunity) تا ±50 ولت/نانوسکوند در کل بازه دمایی.

• قابلیت درایو گیت با جریان خروجی: منبع (source) ≈ 400 میلی‌آمپر، سینک (sink) ≈ 650 میلی‌آمپر.

• زمان‌های سوئیچینگ سریع: زمان بالا آمدن (rise) ≈ 50 نانوثانیه، زمان پایین رفتن (fall) ≈ 30 نانوثانیه با بار 1 nF.

• ورودی‌های منطقی CMOS/TTL با عملکرد Schmitt trigger، برای رابط با مدارهای کنترل آسان.

• دارای ورودی تعطیل (shutdown) و قابلیت تنظیم زمان مرده (dead-time) از طریق مقاومت خارجی.

• دارای دیود Bootstrap داخلی، و قابلیت کلَمپ روی VCC.

⸻

مشخصات فنی (Technical Specifications):

• ولتاژ تأمین (VCC): تقریباً تا 14.6 ولت (در حالت عملکرد معمول) با كلمپ داخلی.

• ولتاژ بخش Floating (VBOOT – VOUT): تا حدود 17 ولت (محدوده پیشنهاد شده) برای بخش بالاساید.

• جریان خروجی گیت: ≈ 400 mA (source) / 650 mA (sink).

• فرمول زمان مرده (Dead-time): با مقاومت Rdt بین پین DT/SD به زمین می‌توان محدوده ~0.4 تا ~3.1 میکروثانیه تنظیم کرد.

• ولتاژ کاری Junction: تا ~125 °C و دمای کاری نامی از –45 °C تا +125 °C.

• ثابت زمان‌های سوئیچینگ: Rise time ≈ 50 ns، Fall time ≈ 30 ns (بار 1nF)

⸻

پین اوت (Pinout) آی‌سی L6384ED – بسته 8 پایه (SOIC-8):

1. IN: ورودی منطقی سازگار با سطح CMOS/TTL برای کنترل درایور

2. VCC: پایه تغذیه آی‌سی (ولتاژ تأمین بخش منطقی و Low-Side)

3. DT/SD: پایه تنظیم زمان مرده (Dead Time) یا ورودی خاموشی (Shutdown)

4. GND: زمین مدار

5. LVG: خروجی درایور سمت Low-Side برای کنترل گیت ترانزیستور پایینی

6. VOUT: مرجع شناور برای بخش High-Side (نقطه اتصال بین دو ترانزیستور نیم‌پل)

7. HVG: خروجی درایور سمت High-Side برای کنترل گیت ترانزیستور بالایی

8. VBOOT: پایه تأمین ولتاژ Bootstrap برای بخش High-Side

⸻

شرح عملکرد کلی:

تراشه L6384EDسیستم دوگانه درایور High-side و Low-side را فراهم می‌کند که امکان رانش ترانزیستورهای قدرت (MOSFET یا IGBT) در آرایش نیم-پل را فراهم می‌کند. بخش High-side از منبع شناور استفاده می‌کند (تا حدود 600 ولت) و برای تأمین گیت ترانزیستور بالا از مدار Bootstrap استفاده می‌کند. ورودی منطقی IN فرمان را مشخص می‌کند، پین DT/SD زمان مرده بین روشن شدن بخش‌ها را تنظیم می‌کند یا تراشه را در حالت Shutdown قرار می‌دهد. حفاظت‌های زیرولتاژ، کلمپ ولتاژ، و مقاومت در برابر نرخ dV/dt بالا نیز تعبیه شده‌اند.

⸻

کاربردها:

• درایور گیت برای MOSFET/IGBT در منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها

• موتور درایورها (AC، DC، PM) و سیستم‌های درایو صنعتی

• کاربرد در وسایل خانگی، نورپردازی صنعتی، HVAC، اتوماسیون کارخانه

• کاربرد در بخش High-voltage، نیم-پل و پل کامل

کد فروشگاه : (L8)