آی سی IRF7319

🔹 مشخصات فنی IRF7319

• نوع MOSFET: Dual N-Channel

• ولتاژ شکست Drain-Source (Vds): 30 ولت

• جریان Drain پیوسته (Id): 4.9 آمپر در دمای 25°C (هر کانال)

• مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds(on)): 7.5 میلی‌اهم در Vgs = 4.5V

• ولتاژ آستانه Gate-Source (Vgs(th)): 1 – 2 ولت

• ظرفیت گیت کل (Qg): حدود 11 نانوکولن

• توان اتلافی (Pd): 1.3 وات در دمای محیط

• دمای کاری: –55°C تا +150°C

• تکنولوژی: N-Channel MOSFET با Rds(on) پایین

• استاندارد RoHS: بله

⸻

🔸 ویژگی‌ها

• دو کانال MOSFET در یک پکیج برای صرفه‌جویی در فضا و کاهش مدارهای خارجی

• مقاومت پایین Rds(on) برای افت ولتاژ کم و راندمان بالا

• مناسب برای سوئیچینگ سریع و بارهای سنگین جریان کم تا متوسط

• سازگار با ولتاژ منطقی (Logic-Level Gate)

• نصب سطحی (SMD)

⸻

🔸 کاربردها

• درایورهای DC-DC و منابع تغذیه سوئیچینگ

• مدارهای حفاظت و کنترل ولتاژ و جریان

• درایورهای LED و نورپردازی

• کنترل موتورهای کوچک و متوسط

• کاربردهای عمومی قدرت در بردهای SMD

⸻

🔸 پین اوت IRF7319 (SO-8)

ترتیب پایه‌ها مطابق دیتاشیت رسمی Infineon:

• پین 1: Source A (S1)

• پین 2: Drain A (D1)

• پین 3: Gate A (G1)

• پین 4: Drain B (D2)

• پین 5: Gate B (G2)

• پین 6: Source B (S2)

• پین 7: NC (غیر متصل)

• پین 8: NC (غیر متصل)

کد فروشگاه : (E15)