آی سی HY53C256
قطعه HY53C256 یک حافظه DRAM (Dynamic Random Access Memory) از خانواده CMOS با تراکم 256 K × 1‑بیت است که توسط شرکت Hynix Semiconductor (همچنین با برند Hyundai) تولید میشود. این آیسی با بهرهگیری از فرآیند CMOS silicon‑gate و تکنولوژی پیشرفته، برای کاربردهای گوناگون الکترونیکی طراحی شده و دارای حاشیه عملکردی وسیعی است.
کد فروشگاه : (G16)
مشخصات فنی
• نوع حافظه: DRAM CMOS، مدل 256K × 1 بیت.
• ساختار فناوری: CMOS silicon‑gate process technology.
• سرعت نمونه: مثلا مدل “LS‑10” یا “LF80” در برخی دیتاشیتها ذکر شده است (مثال: HY53C256LS‑10)
• فرمبندی: معمولاً DIP‑16 یا بستهبندی مناسب دیگر برای حافظه DRAM.
• وضعیت سازگاری: نسخههایی با وضعیت RoHS نیز موجود است (بستهبندی بدون سرب)
⸻
کاربردها
• مدارهای الکترونیکی تازهسازی حافظه (Memory refresh circuits) یا واحدهای ذخیرهسازی موقت
• استفاده در سیستمهایی که نیاز به حافظه DRAM با تراکم کم دارند
• کاربردهای آموزشی، پروتوتایپ و طراحی مدارهای ساده با DRAM
• به عنوان حافظه جانبی برای رکورد داده کوتاهمدت، ثبت وقایع یا درایورهای خاص
⸻
مزایا
• تراکم 256K × 1‑بیت برای مدارهای کوچک مناسب است
• فناوری CMOS امکان مصرف کمتر و عملکرد مطمئنتر را فراهم میکند
• وجود نسخههای مختلف با سرعتهای متفاوت و گزینههای بستهبندی متنوع
• شرکت تولیدکننده معتبر (Hynix) که سابقهی تولید حافظه دارد
کد فروشگاه : (G16)