آی سی AO4612

60V 3A Dual channel (P&N) Mosfet

روش اتصال SMD

پکيج SOIC-8

نوع محصول MOSFET

ولتاژ VDS 60 ولت

Id 3 آمپر

حداکثر توان مصرفي 2 وات

حداکثر (Vgs(th 3 ولت

حداقل (Vgs(th 1 ولت

حداکثر ولتاژ گيت-سورس 20 ولت

ظرفيت خازني ورودي Ciss 450 پيکو فاراد

ظرفيت خازني خروجي Coss 60 پيکو فاراد

مقاومت روشن درين سورس (Rds) 56 اهم

نوع کانال MOSFET N - P

توضیحات

AO4612 از فن آوري پيشرفته MOSFET براي ايجاد RDS عالي و کمترين ميزان شارژ مورد نياز براي گيت استفاده مي کند. ترانزيستور اثر ميدان نيمه‌رساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويت‌کننده‌هاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن‌ بسيار زياد است که باياس آن‌ را ساده مي‌کند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت‌کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفت‌ها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور مي‌دهند که «کانال» (Channel) ناميده مي‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، مي‌توان اين کانال هدايت را بزرگ‌تر يا کوچک‌تر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا مي‌کند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده مي‌شود.

Description

The AO4612 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. The advantage of the MOSFET was that it was relatively compact and easy to mass-produce compared to the competing planar junction transistor, but the MOSFET represented a radically new technology, the adoption of which would have required spurning the progress that Bell had made with the bipolar junction transistor (BJT). The MOSFET was also initially slower and less reliable than the BJT.

کد فروشگاهی :1160